Samsung начала массовое производство памяти HBM4

Компания Samsung сообщила о начале массового производства и коммерческих поставок своей памяти HBM4, став первой в мире, которая смогла превратить эту технологию в реальный продукт. Важной особенностью HBM4 является применение передового 4-нм техпроцесса для логического слоя и 10-нм класса (1c) для чипов DRAM, что позволяет достичь впечатляющих показателей, сохраняя при этом архитектуру прежней версии. Скорость передачи данных составляет 11,7 Гбит/с, с максимальной возможностью до 13 Гбит/с, а пропускная способность достигла 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели HBM3E. Эти характеристики особенно важны для работы над большими языковыми моделями ИИ. Увеличив количество контактов ввода-вывода до 2048, инженеры при этом сумели улучшить энергоэффективность на 40%. В настоящее время доступны решения на 24 и 36 ГБ, в будущем планируется выпуск 48 ГБ модулей. Samsung ожидает, что спрос на память HBM вырастет более чем в три раза к 2026 году и начнет тестирование улучшенной версии HBM4E во второй половине 2026 года.